采用陶瓷金属封装技术，利用氮化铝陶瓷具有耐高温、绝缘性能好、介电常数高又能导热特点。 首先是解决陶瓷金属化问题，采用最先进高真空镀膜技术，把氮化铝金属化；再使用光刻和刻蚀技术，在陶瓷上印刷电路；同时利用金基焊料的温度梯度（280℃、350 ℃、450 ℃）解决复杂结构和多芯片的陶瓷金属封装难题。 SS®陶封技术解决了第三代半导体五大问题：1、热匹配问题；2、绝缘性问题；3、气密性问题；4、封装技术；5、规模化生产技术。
关注我们
Copyright © 2018- 2023深汕尾市索思电子封装材料有限公司版权所有
粤ICP备17069700号
